①Ga、N、As三种元素的电负性由大到小的顺序是。
②GaN熔点(1700℃)高于GaAs熔点(1238℃)的原因是。
③GaAs可由Ga(CH3)3和AsH3在一定条件下制得,该反应的化学方程式是,Ga(CH3)3分子中Ga原子的杂化方式是,AsH3分子的空间构型是。
①钆镓石榴石的化学式是。
②已知晶体结构单位的边长为a nm,晶体的密度为ρ g·cm−3 , 则阿伏加德罗常数NA=(用含a、ρ的代数式表示)。
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