1. (2023高二下·宁波期中) 完成下列问题：

1. （1） GaAs的熔点为1238℃，可作半导体材料，而GaCl₃的熔点为77.9℃。

   ①预测GaCl₃的晶体类型可能为。

   ②GaAs晶胞结构如图所示，则晶胞中每个Ga原子周围有个紧邻等距的As原子；该晶体的密度为ρg•cm^-3 ， 阿伏加德罗常数为N_A ， 则晶体中最近的两个Ga原子的核间距离为cm(列出计算式)。

   

3. （2） ZnO晶体中部分O原子被N原子替代后可以改善半导体的性能，Zn－N键中离子键成分的百分数小于Zn－O键，原因是。
5. （3） CH₃Mn(CO)₅与I₂反应可用于制备CH₃I，反应前后锰的配位数不变，CH₃Mn(CO)₅与I₂反应的化学方程式为。
7. （4） 将含有末成对电子的物质置于外磁场中，会使磁场强度增大，称其为顺磁性物质。下列物质中，属于顺磁性物质的是____(填标号)。

   A . [Cu(NH₃)₂]Cl B . [Zn(NH₃)₄]SO₄ C . [Cu(NH₃)₄]SO₄ D . Na₂[Zn(OH)₄]