15.
(2024高二下·南宁开学考)
芯片制造过程有极其复杂的工艺,其中离子注入是一道重要的工序,该工作原理如图所示:离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,离子在速度选择器中做匀速直线运动,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入到水平面内的晶圆(硅片)处。速度选择器中匀强磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外,匀强电场场强大小为E,方向竖直向上;磁分析器截面是内外半径分别为
和
的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔,磁分析器中匀强磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为L的正方体,底面与晶圆所在的水平面重合,偏转系统中匀强磁场的磁感应强度大小为B、匀强电场场强大小为E,它们的方向均垂直纸面向外;从磁分析器N处小孔射出的离子自偏转系统上表面的中心射入,当偏转系统不加电场及磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点。以O点为坐标原点,偏转系统中B的方向为x轴正方向,水平向左为y轴正方向,建立平面直角坐标系。整个系统置于真空中,不计离子重力,打到晶圆上的离子经过电场和磁场偏转的角度都很小,而当
很小时,有以下近似计算:
,
。求: